念保义,陈兴顺,何绍福. 冶金法制备太阳能级多晶硅的原理与生产工艺研究进展[J]. 矿产综合利用, 2011, 32(3).
    引用本文: 念保义,陈兴顺,何绍福. 冶金法制备太阳能级多晶硅的原理与生产工艺研究进展[J]. 矿产综合利用, 2011, 32(3).
    NIAN Bao-yi,CHEN Xing-shun,HE Shao-fu. Research Advance on the Principle and Processing Technology for Preparing Solar Grade Silicon by Metallurgic Method[J]. Multipurpose Utilization of Mineral Resources, 2011, 32(3).
    Citation: NIAN Bao-yi,CHEN Xing-shun,HE Shao-fu. Research Advance on the Principle and Processing Technology for Preparing Solar Grade Silicon by Metallurgic Method[J]. Multipurpose Utilization of Mineral Resources, 2011, 32(3).

    冶金法制备太阳能级多晶硅的原理与生产工艺研究进展

    Research Advance on the Principle and Processing Technology for Preparing Solar Grade Silicon by Metallurgic Method

    • 摘要: 随着硅集成电路和器件以及太阳能电池产业的快速发展,导致了高纯多晶硅的严重脱销和价格暴涨,制约了光伏发电产业的发展.由于硅材料的成本约占太阳能电池总成本的50%左右,所以低成本提纯冶金硅至太阳能级硅工艺技术越来越受到广泛重视,成为研究开发热点.分析了全球光伏产业的发展现状和趋势,重点阐述了冶金法制备太阳能级多晶硅的原理,分析比较了几种典型低成本生产太阳能级多晶硅的技术工艺,并指出未来冶金法的发展趋势.

       

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